Pokud vaše místo není uvedeno, vyberte jednu z následujících možností:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Pokud vaše místo není uvedeno, vyberte jednu z následujících možností:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Domů
  2. produkty
  3. DRAM
  4. DDR3
  5. K4B1G0846I-BCMA

Samsung Semiconductor - K4B1G0846I-BCMA

KEY Part #: K7359632

[17745ks skladem]

    Číslo dílu:
    K4B1G0846I-BCMA
    Výrobce:
    Samsung Semiconductor
    Detailní popis:
    1 Gb 128M x 8 1866 Mbps 1.5 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.
    Standardní dodací lhůta výrobce:
    Na skladě
    Skladovatelnost:
    Jeden rok
    Čip od:
    Hongkong
    RoHS:
    Způsob platby:
    Způsob přepravy:
    Rodinné kategorie:
    KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: MODULE, GDDR6, SLC Nand, LPDDR5, HBM Aquabolt, HBM Flarebolt, LPDDR4 and DDR3 ...
    Konkurenční výhoda:
    Specializujeme se na elektronické součástky Samsung Semiconductor K4B1G0846I-BCMA. K4B1G0846I-BCMA může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na K4B1G0846I-BCMA, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    K4B1G0846I-BCMA Vlastnosti produktu

    Číslo dílu : K4B1G0846I-BCMA
    Výrobce : Samsung Semiconductor
    Popis : 1 Gb 128M x 8 1866 Mbps 1.5 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production
    Série : DDR3
    Hustota : 1 Gb
    Org. : 128M x 8
    Rychlost : 1866 Mbps
    Napětí : 1.5 V
    Temp. : 0 ~ 85 °C
    Balík : 78FBGA
    Stav produkt : Mass Production

    Poslední zprávy

    Samsung Memory Solutions for Automotive
    Samsung Now Mass Producing Industry’s Most Advanced 4Gb DDR3, Using 20 Nanometer Process Technology
    Samsung’s PM1733 SSD and High Density DIMMs Support AMD EPYC™ 7002 Series Processor
    An Exclusive Look Inside Samsung’s Memory Exhibit at MWC
    Samsung Electronics Takes 3D Memory to New Heights with Sixth-generation V-NAND SSDs for Client Computing
    Evolving Mobile Solutions: Samsung at MWC 2018
    Samsung Rolls Out Industry’s First 8GB LPDDR4 DRAM Package
    Mass Production of Fifth-Generation V-NAND has Started
    The Ultra-Low Latency SSD, Z-SSD
    Samsung Now Producing Four Gigabit LPDDR3 Mobile DRAM, Using 20nm-class Process Technology
    High Bandwidth Memory is Catching on for Data-intensive Computing
    Samsung Electronics Begins Mass Production of Industry's First 12GB LPDDR4X-based uMCP
    Můžete se také zajímat
    • K3UH5H50AM-AGCL

      Samsung Semiconductor

      32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.

    • K3UH5H50AM-EGCL

      Samsung Semiconductor

      32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 376FBGA Mass Production.

    • K3UH5H50AM-JGCL

      Samsung Semiconductor

      32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 432FBGA Mass Production.

    • K3UH6H60BM-AGCL

      Samsung Semiconductor

      48 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.

    • K3UH6H60BM-EGCL

      Samsung Semiconductor

      48 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 376FBGA Mass Production.

    • KHA843801B-MC12

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 1024 2.0 Gbps 32 ms MPGA Mass Production.

    Horké díly