Pokud vaše místo není uvedeno, vyberte jednu z následujících možností:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Pokud vaše místo není uvedeno, vyberte jednu z následujících možností:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Domů
  2. produkty
  3. DRAM
  4. DDR3
  5. K4B4G0846D-BYK0

Samsung Semiconductor - K4B4G0846D-BYK0

KEY Part #: K7359674

[17080ks skladem]

    Číslo dílu:
    K4B4G0846D-BYK0
    Výrobce:
    Samsung Semiconductor
    Detailní popis:
    4 Gb 512M x 8 1600 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.
    Standardní dodací lhůta výrobce:
    Na skladě
    Skladovatelnost:
    Jeden rok
    Čip od:
    Hongkong
    RoHS:
    Způsob platby:
    Způsob přepravy:
    Rodinné kategorie:
    KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: LPDDR5, MODULE, LPDDR3, DDR4, DDR3, SLC Nand, HBM Aquabolt and GDDR6 ...
    Konkurenční výhoda:
    Specializujeme se na elektronické součástky Samsung Semiconductor K4B4G0846D-BYK0. K4B4G0846D-BYK0 může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na K4B4G0846D-BYK0, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    K4B4G0846D-BYK0 Vlastnosti produktu

    Číslo dílu : K4B4G0846D-BYK0
    Výrobce : Samsung Semiconductor
    Popis : 4 Gb 512M x 8 1600 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production
    Série : DDR3
    Hustota : 4 Gb
    Org. : 512M x 8
    Rychlost : 1600 Mbps
    Napětí : 1.35 V
    Temp. : 0 ~ 85 °C
    Balík : 78FBGA
    Stav produkt : Mass Production

    Poslední zprávy

    How Will 5G Impact on Memory?
    Samsung Electronics Introduces New High Bandwidth Memory Technology Tailored to Data Centers, Graphic Applications, and AI
    Samsung Begins Mass Production of Industry’s First 12Gb LPDDR5 Mobile DRAM for Premium Smartphones
    An Exclusive Look Inside Samsung’s Memory Exhibit at MWC
    Samsung Launches Industry’s First 12Gb LPDDR4 DRAM
    NF1 SSD, Reach New Heights with Hyper-Scalable Datacenters
    Samsung Honored for Outstanding Design and Engineering with 36 CES 2018 Innovation Awards
    The future of NAND technology
    Samsung Now Mass Producing Industry’s Most Advanced 4Gb DDR3, Using 20 Nanometer Process Technology
    Samsung Electronics Begins Mass Production of Industry's First 12GB LPDDR4X-based uMCP
    Exploring the Key Samsung Technologies That Enabled 10nm-Class DRAM
    5G and Memory - from Connected Thinking to Connected Living
    Můžete se také zajímat
    • K3UH5H50AM-AGCL

      Samsung Semiconductor

      32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.

    • K3UH5H50AM-EGCL

      Samsung Semiconductor

      32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 376FBGA Mass Production.

    • K3UH5H50AM-JGCL

      Samsung Semiconductor

      32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 432FBGA Mass Production.

    • K3UH6H60BM-AGCL

      Samsung Semiconductor

      48 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.

    • K3UH6H60BM-EGCL

      Samsung Semiconductor

      48 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 376FBGA Mass Production.

    • K3UH7H70AM-AGCL

      Samsung Semiconductor

      64 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.

    Horké díly