Pokud vaše místo není uvedeno, vyberte jednu z následujících možností:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Pokud vaše místo není uvedeno, vyberte jednu z následujících možností:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Domů
  2. produkty
  3. DRAM
  4. DDR3
  5. K4B2G0846F-BCK0

Samsung Semiconductor - K4B2G0846F-BCK0

KEY Part #: K7359649

[26738ks skladem]

    Číslo dílu:
    K4B2G0846F-BCK0
    Výrobce:
    Samsung Semiconductor
    Detailní popis:
    2 Gb 256M x 8 1600 Mbps 1.5 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.
    Standardní dodací lhůta výrobce:
    Na skladě
    Skladovatelnost:
    Jeden rok
    Čip od:
    Hongkong
    RoHS:
    Způsob platby:
    Způsob přepravy:
    Rodinné kategorie:
    KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: HBM Aquabolt, GDDR6, HBM Flarebolt, LPDDR5, GDDR5, MODULE, DDR3 and LPDDR3 ...
    Konkurenční výhoda:
    Specializujeme se na elektronické součástky Samsung Semiconductor K4B2G0846F-BCK0. K4B2G0846F-BCK0 může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na K4B2G0846F-BCK0, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    K4B2G0846F-BCK0 Vlastnosti produktu

    Číslo dílu : K4B2G0846F-BCK0
    Výrobce : Samsung Semiconductor
    Popis : 2 Gb 256M x 8 1600 Mbps 1.5 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production
    Série : DDR3
    Hustota : 2 Gb
    Org. : 256M x 8
    Rychlost : 1600 Mbps
    Napětí : 1.5 V
    Temp. : 0 ~ 85 °C
    Balík : 78FBGA
    Stav produkt : Mass Production

    Poslední zprávy

    Samsung Rolls Out Industry’s First 8GB LPDDR4 DRAM Package
    NF1 SSD, Reach New Heights with Hyper-Scalable Datacenters
    5G and Memory - from Connected Thinking to Connected Living
    Samsung Now Mass Producing Industry’s Most Advanced 4Gb DDR3, Using 20 Nanometer Process Technology
    High Bandwidth Memory is Catching on for Data-intensive Computing
    Samsung Now Mass Producing Industry’s First, 20-Nanometer 6Gb LPDDR3 Mobile DRAM
    Inside the building blocks of the 5G future
    Samsung Z-SSD SZ985
    Samsung Enhances Functional Safety to its Automotive Semiconductors with ISO 26262 Certification
    Mass Production of Fifth-Generation V-NAND has Started
    Autonomous Driving and the Quest for Safety
    Samsung Honored for Outstanding Design and Engineering with 36 CES 2018 Innovation Awards
    Můžete se také zajímat
    • K3UH5H50AM-AGCL

      Samsung Semiconductor

      32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.

    • K3UH5H50AM-EGCL

      Samsung Semiconductor

      32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 376FBGA Mass Production.

    • K3UH5H50AM-JGCL

      Samsung Semiconductor

      32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 432FBGA Mass Production.

    • K3UH6H60BM-AGCL

      Samsung Semiconductor

      48 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.

    • K3UH6H60BM-EGCL

      Samsung Semiconductor

      48 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 376FBGA Mass Production.

    • K3UH7H70AM-AGCL

      Samsung Semiconductor

      64 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.

    Horké díly