Pokud vaše místo není uvedeno, vyberte jednu z následujících možností:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Pokud vaše místo není uvedeno, vyberte jednu z následujících možností:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Domů
  2. produkty
  3. DRAM
  4. DDR3
  5. K4B4G0846D-BYMA

Samsung Semiconductor - K4B4G0846D-BYMA

KEY Part #: K7359675

[18490ks skladem]

    Číslo dílu:
    K4B4G0846D-BYMA
    Výrobce:
    Samsung Semiconductor
    Detailní popis:
    4 Gb 512M x 8 1866 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.
    Standardní dodací lhůta výrobce:
    Na skladě
    Skladovatelnost:
    Jeden rok
    Čip od:
    Hongkong
    RoHS:
    Způsob platby:
    Způsob přepravy:
    Rodinné kategorie:
    KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: LPDDR4, DDR3, LPDDR5, LPDDR3, GDDR6, DDR4, GDDR5 and SLC Nand ...
    Konkurenční výhoda:
    Specializujeme se na elektronické součástky Samsung Semiconductor K4B4G0846D-BYMA. K4B4G0846D-BYMA může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na K4B4G0846D-BYMA, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    K4B4G0846D-BYMA Vlastnosti produktu

    Číslo dílu : K4B4G0846D-BYMA
    Výrobce : Samsung Semiconductor
    Popis : 4 Gb 512M x 8 1866 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production
    Série : DDR3
    Hustota : 4 Gb
    Org. : 512M x 8
    Rychlost : 1866 Mbps
    Napětí : 1.35 V
    Temp. : 0 ~ 85 °C
    Balík : 78FBGA
    Stav produkt : Mass Production

    Poslední zprávy

    Driving the Artificial Intelligence Evolution with In-Memory Computing
    The future of NAND technology
    Samsung Showcases Its Latest Silicon Technologies for the Next Wave of Innovation at Annual Tech Day
    Samsung Electronics Begins Mass Production of Industry's First 12GB LPDDR4X-based uMCP
    Autonomous Driving and the Quest for Safety
    Bringing Artificial Intelligence to Devices Everywhere
    Mass Production of Fifth-Generation V-NAND has Started
    Unlocking the Power of Cloud Computing
    Samsung Memory Solutions for Automotive
    Samsung’s PM1733 SSD and High Density DIMMs Support AMD EPYC™ 7002 Series Processor
    [Video] The Future of Autonomous Driving: Samsung’s Memory Component Solutions
    Speed for the next generation of mobile devices
    Můžete se také zajímat
    • K3UH5H50AM-AGCL

      Samsung Semiconductor

      32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.

    • K3UH5H50AM-EGCL

      Samsung Semiconductor

      32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 376FBGA Mass Production.

    • K3UH5H50AM-JGCL

      Samsung Semiconductor

      32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 432FBGA Mass Production.

    • K3UH6H60BM-AGCL

      Samsung Semiconductor

      48 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.

    • K3UH6H60BM-EGCL

      Samsung Semiconductor

      48 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 376FBGA Mass Production.

    • K3UH7H70AM-AGCL

      Samsung Semiconductor

      64 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.

    Horké díly