Pokud vaše místo není uvedeno, vyberte jednu z následujících možností:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Pokud vaše místo není uvedeno, vyberte jednu z následujících možností:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Domů
  2. produkty
  3. DRAM
  4. DDR3
  5. K4B1G0846I-BCK0

Samsung Semiconductor - K4B1G0846I-BCK0

KEY Part #: K7359631

[16579ks skladem]

    Číslo dílu:
    K4B1G0846I-BCK0
    Výrobce:
    Samsung Semiconductor
    Detailní popis:
    1 Gb 128M x 8 1600 Mbps 1.5 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.
    Standardní dodací lhůta výrobce:
    Na skladě
    Skladovatelnost:
    Jeden rok
    Čip od:
    Hongkong
    RoHS:
    Způsob platby:
    Způsob přepravy:
    Rodinné kategorie:
    KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: DDR4, GDDR5, HBM Flarebolt, LPDDR3, SLC Nand, MODULE, GDDR6 and LPDDR5 ...
    Konkurenční výhoda:
    Specializujeme se na elektronické součástky Samsung Semiconductor K4B1G0846I-BCK0. K4B1G0846I-BCK0 může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na K4B1G0846I-BCK0, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    K4B1G0846I-BCK0 Vlastnosti produktu

    Číslo dílu : K4B1G0846I-BCK0
    Výrobce : Samsung Semiconductor
    Popis : 1 Gb 128M x 8 1600 Mbps 1.5 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production
    Série : DDR3
    Hustota : 1 Gb
    Org. : 128M x 8
    Rychlost : 1600 Mbps
    Napětí : 1.5 V
    Temp. : 0 ~ 85 °C
    Balík : 78FBGA
    Stav produkt : Mass Production

    Poslední zprávy

    Samsung Launches Industry’s First 12Gb LPDDR4 DRAM
    Samsung Now Producing Industry’s Highest Density (3GB) LPDDR3 Mobile Memory for Smartphones
    Samsung Honored for Outstanding Design and Engineering with 36 CES 2018 Innovation Awards
    Unlocking the Power of Cloud Computing
    Samsung wins 46 CES 2020 Innovation Awards for Outstanding Design and Engineering
    Bringing Artificial Intelligence to Devices Everywhere
    [Video] 5G memory solutions : 5G. All in the Memory.
    SSDs, DRAM and gaming: Unlocking a new level of performance
    An Exclusive Look Inside Samsung’s Memory Exhibit at MWC
    Samsung Rolls Out Industry’s First 8GB LPDDR4 DRAM Package
    The Ultra-Low Latency SSD, Z-SSD
    Samsung Announces Production of Industry’s First 2GB LPDDR3 Mobile Memory, Using 30nm-class Technology
    Můžete se také zajímat
    • K3UH5H50AM-AGCL

      Samsung Semiconductor

      32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.

    • K3UH5H50AM-EGCL

      Samsung Semiconductor

      32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 376FBGA Mass Production.

    • K3UH5H50AM-JGCL

      Samsung Semiconductor

      32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 432FBGA Mass Production.

    • K3UH6H60BM-AGCL

      Samsung Semiconductor

      48 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.

    • KHA843801B-MC12

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 1024 2.0 Gbps 32 ms MPGA Mass Production.

    • KHA883901B-MC12

      Samsung Semiconductor

      8 Gb 1024 2.0 Gbps 32 ms MPGA Mass Production.

    Horké díly