Microsemi Corporation - APTC80H15T3G

KEY Part #: K6522657

APTC80H15T3G Ceny (USD) [2118ks skladem]

  • 1 pcs$20.44876
  • 100 pcs$19.92167

Číslo dílu:
APTC80H15T3G
Výrobce:
Microsemi Corporation
Detailní popis:
MOSFET 4N-CH 800V 28A SP3.
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, předpětí, Tranzistory - IGBTs - Arrays, Tranzistory - IGBTs - Single, Tyristory - DIAC, SIDAC, Diody - Usměrňovače - Single, Diody - usměrňovače - pole, Diody - Zener - pole and Tranzistory - programovatelný Unijunction ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky Microsemi Corporation APTC80H15T3G. APTC80H15T3G může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na APTC80H15T3G, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTC80H15T3G Vlastnosti produktu

Číslo dílu : APTC80H15T3G
Výrobce : Microsemi Corporation
Popis : MOSFET 4N-CH 800V 28A SP3
Série : -
Stav části : Active
Typ FET : 4 N-Channel (H-Bridge)
Funkce FET : Standard
Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) : 800V
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C : 28A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 150 mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.9V @ 2mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 180nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 4507pF @ 25V
Výkon - Max : 277W
Provozní teplota : -40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže : Chassis Mount
Balíček / Případ : SP3
Balík zařízení pro dodavatele : SP3