Microsemi Corporation - APTC80DSK15T3G

KEY Part #: K6523530

[4135ks skladem]


    Číslo dílu:
    APTC80DSK15T3G
    Výrobce:
    Microsemi Corporation
    Detailní popis:
    MOSFET 2N-CH 800V 28A SP3.
    Standardní dodací lhůta výrobce:
    Na skladě
    Skladovatelnost:
    Jeden rok
    Čip od:
    Hongkong
    RoHS:
    Způsob platby:
    Způsob přepravy:
    Rodinné kategorie:
    KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - bipolární (BJT) - RF, Diody - Zener - pole, Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, předpětí, Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Pre-Biated, Tranzistory - FETy, MOSFETy - Single, Tyristory - DIAC, SIDAC and Diody - variabilní kapacita (Varicaps, Varactors) ...
    Konkurenční výhoda:
    Specializujeme se na elektronické součástky Microsemi Corporation APTC80DSK15T3G. APTC80DSK15T3G může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na APTC80DSK15T3G, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    APTC80DSK15T3G Vlastnosti produktu

    Číslo dílu : APTC80DSK15T3G
    Výrobce : Microsemi Corporation
    Popis : MOSFET 2N-CH 800V 28A SP3
    Série : -
    Stav části : Obsolete
    Typ FET : 2 N-Channel (Dual)
    Funkce FET : Standard
    Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) : 800V
    Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C : 28A
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 150 mOhm @ 14A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 3.9V @ 2mA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 180nC @ 10V
    Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 4507pF @ 25V
    Výkon - Max : 277W
    Provozní teplota : -40°C ~ 150°C (TJ)
    Typ montáže : Chassis Mount
    Balíček / Případ : SP3
    Balík zařízení pro dodavatele : SP3