Infineon Technologies - BSD235N L6327

KEY Part #: K6524155

[4651ks skladem]


    Číslo dílu:
    BSD235N L6327
    Výrobce:
    Infineon Technologies
    Detailní popis:
    MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363.
    Standardní dodací lhůta výrobce:
    Na skladě
    Skladovatelnost:
    Jeden rok
    Čip od:
    Hongkong
    RoHS:
    Způsob platby:
    Způsob přepravy:
    Rodinné kategorie:
    KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - IGBT - Moduly, Diody - Zener - Single, Tranzistory - IGBTs - Single, Tyristory - SCR - Moduly, Diody - Usměrňovače - Single, Tranzistory - FETy, MOSFETy - Pole, Tranzistory - bipolární (BJT) - pole and Tranzistory - speciální účel ...
    Konkurenční výhoda:
    Specializujeme se na elektronické součástky Infineon Technologies BSD235N L6327. BSD235N L6327 může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na BSD235N L6327, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BSD235N L6327 Vlastnosti produktu

    Číslo dílu : BSD235N L6327
    Výrobce : Infineon Technologies
    Popis : MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363
    Série : OptiMOS™
    Stav části : Obsolete
    Typ FET : 2 N-Channel (Dual)
    Funkce FET : Logic Level Gate
    Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) : 20V
    Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C : 950mA
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 350 mOhm @ 950mA, 4.5V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 1.2V @ 1.6µA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 0.32nC @ 4.5V
    Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 63pF @ 10V
    Výkon - Max : 500mW
    Provozní teplota : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Typ montáže : Surface Mount
    Balíček / Případ : 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
    Balík zařízení pro dodavatele : PG-SOT363-6

    Můžete se také zajímat