Pokud vaše místo není uvedeno, vyberte jednu z následujících možností:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Pokud vaše místo není uvedeno, vyberte jednu z následujících možností:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Domů
  2. produkty
  3. Diskrétní polovodičové produkty
  4. Tranzistory - FETy, MOSFETy - Pole
  5. EPC2105ENG

EPC - EPC2105ENG

KEY Part #: K6523724

[4069ks skladem]

    Číslo dílu:
    EPC2105ENG
    Výrobce:
    EPC
    Detailní popis:
    GAN TRANS 2N-CH 80V BUMPED DIE.
    Standardní dodací lhůta výrobce:
    Na skladě
    Skladovatelnost:
    Jeden rok
    Čip od:
    Hongkong
    RoHS:
    Způsob platby:
    Způsob přepravy:
    Rodinné kategorie:
    KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Pre-Biated, Tranzistory - FETy, MOSFETy - Pole, Diody - Usměrňovače - Single, Diody - Zener - Single, Tyristory - TRIAC, Tranzistory - programovatelný Unijunction, Tranzistory - IGBT - Moduly and Moduly ovladače napájení ...
    Konkurenční výhoda:
    Specializujeme se na elektronické součástky EPC EPC2105ENG. EPC2105ENG může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na EPC2105ENG, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    EPC2105ENG Vlastnosti produktu

    Číslo dílu : EPC2105ENG
    Výrobce : EPC
    Popis : GAN TRANS 2N-CH 80V BUMPED DIE
    Série : eGaN®
    Stav části : Discontinued at Digi-Key
    Typ FET : 2 N-Channel (Half Bridge)
    Funkce FET : GaNFET (Gallium Nitride)
    Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) : 80V
    Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C : 9.5A, 38A
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 14.5 mOhm @ 20A, 5V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 2.5mA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 2.5nC @ 5V
    Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 300pF @ 40V
    Výkon - Max : -
    Provozní teplota : -40°C ~ 150°C (TJ)
    Typ montáže : Surface Mount
    Balíček / Případ : Die
    Balík zařízení pro dodavatele : Die
    Můžete se také zajímat
    • PMGD175XN,115

      NXP USA Inc.

      MOSFET 2N-CH 30V 0.9A 6TSSOP.

    • STC6NF30V

      STMicroelectronics

      MOSFET 2N-CH 30V 6A 8-TSSOP.

    • AO8822#A

      Alpha & Omega Semiconductor Inc.

      MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-TSSOP.

    • AO8814#A

      Alpha & Omega Semiconductor Inc.

      MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8TSSOP.

    • AO8810#A

      Alpha & Omega Semiconductor Inc.

      MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-TSSOP.

    • AO8804_100

      Alpha & Omega Semiconductor Inc.

      MOSFET 2N-CH 20V.

    Horké díly