Vishay Siliconix - SQJ459EP-T1_GE3

KEY Part #: K6416165

SQJ459EP-T1_GE3 Ceny (USD) [147465ks skladem]

  • 1 pcs$0.25082
  • 3,000 pcs$0.21196

Číslo dílu:
SQJ459EP-T1_GE3
Výrobce:
Vishay Siliconix
Detailní popis:
MOSFET P-CH 60V 52A POWERPAKSO-8.
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tyristory - SCR, Diody - RF, Tranzistory - IGBTs - Arrays, Diody - variabilní kapacita (Varicaps, Varactors), Tyristory - SCR - Moduly, Diody - Zener - pole, Tranzistory - FETy, MOSFETy - Pole and Tranzistory - JFETy ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky Vishay Siliconix SQJ459EP-T1_GE3. SQJ459EP-T1_GE3 může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na SQJ459EP-T1_GE3, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQJ459EP-T1_GE3 Vlastnosti produktu

Číslo dílu : SQJ459EP-T1_GE3
Výrobce : Vishay Siliconix
Popis : MOSFET P-CH 60V 52A POWERPAKSO-8
Série : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Stav části : Active
Typ FET : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) : 60V
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C : 52A (Tc)
Napětí pohonu (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 18 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 108nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 4586pF @ 30V
Funkce FET : -
Ztráta výkonu (Max) : 83W (Tc)
Provozní teplota : -55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže : Surface Mount
Balík zařízení pro dodavatele : PowerPAK® SO-8
Balíček / Případ : PowerPAK® SO-8