Infineon Technologies - SPD07N60S5T

KEY Part #: K6410173

[28ks skladem]


    Číslo dílu:
    SPD07N60S5T
    Výrobce:
    Infineon Technologies
    Detailní popis:
    MOSFET N-CH 600V 7.3A DPAK.
    Standardní dodací lhůta výrobce:
    Na skladě
    Skladovatelnost:
    Jeden rok
    Čip od:
    Hongkong
    RoHS:
    Způsob platby:
    Způsob přepravy:
    Rodinné kategorie:
    KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Diody - Usměrňovače - Single, Tranzistory - speciální účel, Tyristory - DIAC, SIDAC, Tyristory - SCR - Moduly, Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Pre-Biated, Diody - Můstkové usměrňovače, Tranzistory - IGBTs - Single and Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single ...
    Konkurenční výhoda:
    Specializujeme se na elektronické součástky Infineon Technologies SPD07N60S5T. SPD07N60S5T může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na SPD07N60S5T, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SPD07N60S5T Vlastnosti produktu

    Číslo dílu : SPD07N60S5T
    Výrobce : Infineon Technologies
    Popis : MOSFET N-CH 600V 7.3A DPAK
    Série : CoolMOS™
    Stav části : Discontinued at Digi-Key
    Typ FET : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) : 600V
    Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C : 7.3A (Tc)
    Napětí pohonu (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 600 mOhm @ 4.6A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 350µA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 35nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±20V
    Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 970pF @ 25V
    Funkce FET : -
    Ztráta výkonu (Max) : 83W (Tc)
    Provozní teplota : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Typ montáže : Surface Mount
    Balík zařízení pro dodavatele : PG-TO252-3
    Balíček / Případ : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63