ON Semiconductor - FDG410NZ

KEY Part #: K6416197

FDG410NZ Ceny (USD) [596208ks skladem]

  • 1 pcs$0.06235
  • 3,000 pcs$0.06204

Číslo dílu:
FDG410NZ
Výrobce:
ON Semiconductor
Detailní popis:
MOSFET N-CH 20V 2.2A SC70-6.
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - JFETy, Tranzistory - bipolární (BJT) - RF, Tranzistory - FETy, MOSFETy - RF, Tyristory - DIAC, SIDAC, Tranzistory - FETy, MOSFETy - Pole, Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Diody - Usměrňovače - Single and Tranzistory - IGBT - Moduly ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky ON Semiconductor FDG410NZ. FDG410NZ může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na FDG410NZ, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDG410NZ Vlastnosti produktu

Číslo dílu : FDG410NZ
Výrobce : ON Semiconductor
Popis : MOSFET N-CH 20V 2.2A SC70-6
Série : PowerTrench®
Stav části : Active
Typ FET : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) : 20V
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C : 2.2A (Ta)
Napětí pohonu (Max Rds On, Min Rds On) : 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 70 mOhm @ 2.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 7.2nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±8V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 535pF @ 10V
Funkce FET : -
Ztráta výkonu (Max) : 420mW (Ta)
Provozní teplota : -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže : Surface Mount
Balík zařízení pro dodavatele : SC-88 (SC-70-6)
Balíček / Případ : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363