Infineon Technologies - IPB096N03LGATMA1

KEY Part #: K6407691

[886ks skladem]


    Číslo dílu:
    IPB096N03LGATMA1
    Výrobce:
    Infineon Technologies
    Detailní popis:
    MOSFET N-CH 30V 35A TO-263-3.
    Standardní dodací lhůta výrobce:
    Na skladě
    Skladovatelnost:
    Jeden rok
    Čip od:
    Hongkong
    RoHS:
    Způsob platby:
    Způsob přepravy:
    Rodinné kategorie:
    KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Diody - Usměrňovače - Single, Tranzistory - FETy, MOSFETy - Pole, Tyristory - DIAC, SIDAC, Diody - RF, Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Pre-Biated, Diody - Můstkové usměrňovače, Tyristory - SCR - Moduly and Tranzistory - IGBTs - Arrays ...
    Konkurenční výhoda:
    Specializujeme se na elektronické součástky Infineon Technologies IPB096N03LGATMA1. IPB096N03LGATMA1 může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na IPB096N03LGATMA1, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IPB096N03LGATMA1 Vlastnosti produktu

    Číslo dílu : IPB096N03LGATMA1
    Výrobce : Infineon Technologies
    Popis : MOSFET N-CH 30V 35A TO-263-3
    Série : OptiMOS™
    Stav části : Obsolete
    Typ FET : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) : 30V
    Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C : 35A (Tc)
    Napětí pohonu (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9.6 mOhm @ 30A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 15nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±20V
    Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 1600pF @ 15V
    Funkce FET : -
    Ztráta výkonu (Max) : 42W (Tc)
    Provozní teplota : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Typ montáže : Surface Mount
    Balík zařízení pro dodavatele : D²PAK (TO-263AB)
    Balíček / Případ : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

    Můžete se také zajímat
    • TPC6104(TE85L,F,M)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET P-CH 20V 4.5A VS6 2-3T1A.

    • TPC6107(TE85L,F,M)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET P-CH 20V 4.5A VS6 2-3T1A.

    • TPC6006-H(TE85L,F)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 40V 3.9A VS6 2-3T1A.

    • 2N7000-G

      Microchip Technology

      MOSFET N-CH 60V 0.2A TO92-3.

    • BS170_J35Z

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92.

    • IRFR15N20DTRPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 200V 17A DPAK.