Microsemi Corporation - APTMC120AM12CT3AG

KEY Part #: K6522597

APTMC120AM12CT3AG Ceny (USD) [136ks skladem]

  • 1 pcs$337.86848
  • 100 pcs$336.49815

Číslo dílu:
APTMC120AM12CT3AG
Výrobce:
Microsemi Corporation
Detailní popis:
MOSFET 2N-CH 1200V 220A SP3F.
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - IGBT - Moduly, Tyristory - TRIAC, Tranzistory - JFETy, Tranzistory - IGBTs - Arrays, Tranzistory - bipolární (BJT) - RF, Tyristory - DIAC, SIDAC, Diody - Usměrňovače - Single and Tyristory - SCR - Moduly ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky Microsemi Corporation APTMC120AM12CT3AG. APTMC120AM12CT3AG může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na APTMC120AM12CT3AG, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTMC120AM12CT3AG Vlastnosti produktu

Číslo dílu : APTMC120AM12CT3AG
Výrobce : Microsemi Corporation
Popis : MOSFET 2N-CH 1200V 220A SP3F
Série : -
Stav části : Active
Typ FET : 2 N Channel (Phase Leg)
Funkce FET : Silicon Carbide (SiC)
Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) : 1200V (1.2kV)
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C : 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12 mOhm @ 150A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 30mA (Typ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 483nC @ 20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 8400pF @ 1000V
Výkon - Max : 925W
Provozní teplota : -40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže : Chassis Mount
Balíček / Případ : SP3
Balík zařízení pro dodavatele : SP3