Renesas Electronics America - RJK5030DPD-00#J2

KEY Part #: K6412588

[13393ks skladem]


    Číslo dílu:
    RJK5030DPD-00#J2
    Výrobce:
    Renesas Electronics America
    Detailní popis:
    MOSFET N-CH 500V 5A MP3A.
    Standardní dodací lhůta výrobce:
    Na skladě
    Skladovatelnost:
    Jeden rok
    Čip od:
    Hongkong
    RoHS:
    Způsob platby:
    Způsob přepravy:
    Rodinné kategorie:
    KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Diody - Zener - pole, Tyristory - DIAC, SIDAC, Tyristory - TRIAC, Tranzistory - programovatelný Unijunction, Tranzistory - FETy, MOSFETy - Pole, Diody - Usměrňovače - Single, Tyristory - SCR - Moduly and Tyristory - SCR ...
    Konkurenční výhoda:
    Specializujeme se na elektronické součástky Renesas Electronics America RJK5030DPD-00#J2. RJK5030DPD-00#J2 může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na RJK5030DPD-00#J2, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    RJK5030DPD-00#J2 Vlastnosti produktu

    Číslo dílu : RJK5030DPD-00#J2
    Výrobce : Renesas Electronics America
    Popis : MOSFET N-CH 500V 5A MP3A
    Série : -
    Stav části : Active
    Typ FET : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) : 500V
    Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C : 5A (Ta)
    Napětí pohonu (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.6 Ohm @ 2A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : -
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : -
    Vgs (Max) : ±30V
    Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 550pF @ 25V
    Funkce FET : -
    Ztráta výkonu (Max) : 41.7W (Tc)
    Provozní teplota : 150°C (TJ)
    Typ montáže : Surface Mount
    Balík zařízení pro dodavatele : MP-3A
    Balíček / Případ : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

    Můžete se také zajímat