ON Semiconductor - FDZ208P

KEY Part #: K6410443

[14134ks skladem]


    Číslo dílu:
    FDZ208P
    Výrobce:
    ON Semiconductor
    Detailní popis:
    MOSFET P-CH 30V 12.5A BGA.
    Standardní dodací lhůta výrobce:
    Na skladě
    Skladovatelnost:
    Jeden rok
    Čip od:
    Hongkong
    RoHS:
    Způsob platby:
    Způsob přepravy:
    Rodinné kategorie:
    KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - FETy, MOSFETy - Single, Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, předpětí, Tyristory - DIAC, SIDAC, Tranzistory - FETy, MOSFETy - RF, Diody - usměrňovače - pole, Diody - Můstkové usměrňovače, Diody - variabilní kapacita (Varicaps, Varactors) and Tranzistory - JFETy ...
    Konkurenční výhoda:
    Specializujeme se na elektronické součástky ON Semiconductor FDZ208P. FDZ208P může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na FDZ208P, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FDZ208P Vlastnosti produktu

    Číslo dílu : FDZ208P
    Výrobce : ON Semiconductor
    Popis : MOSFET P-CH 30V 12.5A BGA
    Série : PowerTrench®
    Stav části : Obsolete
    Typ FET : P-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) : 30V
    Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C : 12.5A (Ta)
    Napětí pohonu (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10.5 mOhm @ 12.5A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 35nC @ 5V
    Vgs (Max) : ±25V
    Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 2409pF @ 15V
    Funkce FET : -
    Ztráta výkonu (Max) : 2.2W (Ta)
    Provozní teplota : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Typ montáže : Surface Mount
    Balík zařízení pro dodavatele : 30-BGA (4x3.5)
    Balíček / Případ : 30-WFBGA