Microsemi Corporation - APTMC60TL11CT3AG

KEY Part #: K6523767

APTMC60TL11CT3AG Ceny (USD) [4055ks skladem]

  • 100 pcs$97.63581

Číslo dílu:
APTMC60TL11CT3AG
Výrobce:
Microsemi Corporation
Detailní popis:
MOSFET 4N-CH 1200V 28A SP3.
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Moduly ovladače napájení, Tranzistory - IGBTs - Arrays, Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, Diody - Zener - pole, Diody - usměrňovače - pole, Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Tyristory - SCR - Moduly and Tranzistory - FETy, MOSFETy - RF ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky Microsemi Corporation APTMC60TL11CT3AG. APTMC60TL11CT3AG může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na APTMC60TL11CT3AG, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTMC60TL11CT3AG Vlastnosti produktu

Číslo dílu : APTMC60TL11CT3AG
Výrobce : Microsemi Corporation
Popis : MOSFET 4N-CH 1200V 28A SP3
Série : -
Stav části : Active
Typ FET : 4 N-Channel (Three Level Inverter)
Funkce FET : Silicon Carbide (SiC)
Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) : 1200V (1.2kV)
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C : 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 98 mOhm @ 20A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 49nC @ 20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 950pF @ 1000V
Výkon - Max : 125W
Provozní teplota : -40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže : Chassis Mount
Balíček / Případ : SP3
Balík zařízení pro dodavatele : SP3