Číslo dílu :
APTMC60TL11CT3AG
Výrobce :
Microsemi Corporation
Popis :
MOSFET 4N-CH 1200V 28A SP3
Typ FET :
4 N-Channel (Three Level Inverter)
Funkce FET :
Silicon Carbide (SiC)
Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) :
1200V (1.2kV)
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C :
28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
98 mOhm @ 20A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
49nC @ 20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds :
950pF @ 1000V
Provozní teplota :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže :
Chassis Mount
Balík zařízení pro dodavatele :
SP3