ON Semiconductor - FCMT099N65S3

KEY Part #: K6397415

FCMT099N65S3 Ceny (USD) [39274ks skladem]

  • 1 pcs$0.99557

Číslo dílu:
FCMT099N65S3
Výrobce:
ON Semiconductor
Detailní popis:
MOSFET N-CH 650V 30A POWER88.
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - IGBTs - Arrays, Tranzistory - bipolární (BJT) - RF, Tranzistory - FETy, MOSFETy - Single, Tranzistory - IGBT - Moduly, Tyristory - TRIAC, Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, předpětí, Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Pre-Biated and Tranzistory - programovatelný Unijunction ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky ON Semiconductor FCMT099N65S3. FCMT099N65S3 může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na FCMT099N65S3, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FCMT099N65S3 Vlastnosti produktu

Číslo dílu : FCMT099N65S3
Výrobce : ON Semiconductor
Popis : MOSFET N-CH 650V 30A POWER88
Série : SuperFET® III
Stav části : Active
Typ FET : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) : 650V
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C : 30A (Tc)
Napětí pohonu (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 99 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 3mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 56nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 2270pF @ 400V
Funkce FET : -
Ztráta výkonu (Max) : 227W (Tc)
Provozní teplota : -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže : Surface Mount
Balík zařízení pro dodavatele : Power88
Balíček / Případ : 4-PowerTSFN