ON Semiconductor - FCD380N60E

KEY Part #: K6397432

FCD380N60E Ceny (USD) [95771ks skladem]

  • 1 pcs$0.40827
  • 2,500 pcs$0.38494

Číslo dílu:
FCD380N60E
Výrobce:
ON Semiconductor
Detailní popis:
MOSFET N CH 600V 10.2A DPAK.
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - speciální účel, Tyristory - TRIAC, Tranzistory - FETy, MOSFETy - Single, Tyristory - SCR, Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, Tranzistory - IGBTs - Arrays, Tyristory - DIAC, SIDAC and Tyristory - SCR - Moduly ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky ON Semiconductor FCD380N60E. FCD380N60E může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na FCD380N60E, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FCD380N60E Vlastnosti produktu

Číslo dílu : FCD380N60E
Výrobce : ON Semiconductor
Popis : MOSFET N CH 600V 10.2A DPAK
Série : SuperFET® II
Stav části : Active
Typ FET : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) : 600V
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C : 10.2A (Tc)
Napětí pohonu (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 380 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 45nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 1770pF @ 25V
Funkce FET : -
Ztráta výkonu (Max) : 106W (Tc)
Provozní teplota : -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže : Surface Mount
Balík zařízení pro dodavatele : D-Pak
Balíček / Případ : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63