Global Power Technologies Group - GHIS030A120S-A1

KEY Part #: K6532535

GHIS030A120S-A1 Ceny (USD) [3172ks skladem]

  • 1 pcs$13.65808
  • 10 pcs$12.63373
  • 25 pcs$11.60937
  • 100 pcs$10.78989
  • 250 pcs$9.90211

Číslo dílu:
GHIS030A120S-A1
Výrobce:
Global Power Technologies Group
Detailní popis:
IGBT BOOST CHOP 1200V 60A SOT227.
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - FETy, MOSFETy - RF, Diody - usměrňovače - pole, Diody - Zener - Single, Diody - variabilní kapacita (Varicaps, Varactors), Tranzistory - programovatelný Unijunction, Tranzistory - JFETy, Tranzistory - IGBTs - Single and Diody - Zener - pole ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky Global Power Technologies Group GHIS030A120S-A1. GHIS030A120S-A1 může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na GHIS030A120S-A1, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GHIS030A120S-A1 Vlastnosti produktu

Číslo dílu : GHIS030A120S-A1
Výrobce : Global Power Technologies Group
Popis : IGBT BOOST CHOP 1200V 60A SOT227
Série : -
Stav části : Active
Typ IGBT : Trench Field Stop
Konfigurace : Single
Napětí - Porucha vysílače kolektoru (Max) : 1200V
Proud - kolektor (Ic) (Max) : 60A
Výkon - Max : -
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 2.5V @ 15V, 30A
Proud - Mezní hodnota kolektoru (Max) : 1mA
Vstupní kapacita (Cies) @ Vce : 4nF @ 30V
Vstup : Standard
Termistor NTC : No
Provozní teplota : -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže : Chassis Mount
Balíček / Případ : SOT-227-4, miniBLOC
Balík zařízení pro dodavatele : SOT-227

Můžete se také zajímat
  • VS-ENQ030L120S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 61A 216W EMIPAK-1B. Rectifiers 30A Neutral Point Clamp Topology

  • VS-ETF150Y65N

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • CPV362M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 8.8A IMS-2.

  • CPV363M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2.

  • A2C35S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK2.

  • A2C25S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.