Microsemi Corporation - APT50GT120JRDQ2

KEY Part #: K6534332

[536ks skladem]


    Číslo dílu:
    APT50GT120JRDQ2
    Výrobce:
    Microsemi Corporation
    Detailní popis:
    IGBT 1200V 72A 379W SOT227.
    Standardní dodací lhůta výrobce:
    Na skladě
    Skladovatelnost:
    Jeden rok
    Čip od:
    Hongkong
    RoHS:
    Způsob platby:
    Způsob přepravy:
    Rodinné kategorie:
    KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Diody - Zener - pole, Diody - Zener - Single, Diody - Můstkové usměrňovače, Tranzistory - IGBT - Moduly, Tranzistory - IGBTs - Arrays, Tranzistory - IGBTs - Single, Tranzistory - FETy, MOSFETy - Pole and Tranzistory - bipolární (BJT) - pole ...
    Konkurenční výhoda:
    Specializujeme se na elektronické součástky Microsemi Corporation APT50GT120JRDQ2. APT50GT120JRDQ2 může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na APT50GT120JRDQ2, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    APT50GT120JRDQ2 Vlastnosti produktu

    Číslo dílu : APT50GT120JRDQ2
    Výrobce : Microsemi Corporation
    Popis : IGBT 1200V 72A 379W SOT227
    Série : Thunderbolt IGBT®
    Stav části : Obsolete
    Typ IGBT : NPT
    Konfigurace : Single
    Napětí - Porucha vysílače kolektoru (Max) : 1200V
    Proud - kolektor (Ic) (Max) : 72A
    Výkon - Max : 379W
    Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 3.7V @ 15V, 50A
    Proud - Mezní hodnota kolektoru (Max) : 400µA
    Vstupní kapacita (Cies) @ Vce : 2.5nF @ 25V
    Vstup : Standard
    Termistor NTC : No
    Provozní teplota : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Typ montáže : Chassis Mount
    Balíček / Případ : ISOTOP
    Balík zařízení pro dodavatele : ISOTOP®

    Můžete se také zajímat
    • GA400TD25S

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT FAST 250V 400A INT-A-PAK.

    • CPV364M4F

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT SIP MODULE 600V 15A IMS-2.

    • CPV363M4F

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT SIP MODULE 600V 9A IMS-2.

    • GA200SA60U

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT UFAST 600V 100A SOT227.

    • GA200SA60S

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT STD 600V 100A SOT227.

    • STGE50NB60HD

      STMicroelectronics

      IGBT N-CHAN 600V 50A ISOTOP.