Microsemi Corporation - APTGL90DH120T3G

KEY Part #: K6533675

[755ks skladem]


    Číslo dílu:
    APTGL90DH120T3G
    Výrobce:
    Microsemi Corporation
    Detailní popis:
    MOD IGBT 1200V 110A SP3.
    Standardní dodací lhůta výrobce:
    Na skladě
    Skladovatelnost:
    Jeden rok
    Čip od:
    Hongkong
    RoHS:
    Způsob platby:
    Způsob přepravy:
    Rodinné kategorie:
    KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tyristory - SCR, Diody - variabilní kapacita (Varicaps, Varactors), Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Pre-Biated, Tranzistory - JFETy, Tyristory - DIAC, SIDAC, Diody - Zener - Single, Tranzistory - speciální účel and Tranzistory - bipolární (BJT) - pole ...
    Konkurenční výhoda:
    Specializujeme se na elektronické součástky Microsemi Corporation APTGL90DH120T3G. APTGL90DH120T3G může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na APTGL90DH120T3G, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    APTGL90DH120T3G Vlastnosti produktu

    Číslo dílu : APTGL90DH120T3G
    Výrobce : Microsemi Corporation
    Popis : MOD IGBT 1200V 110A SP3
    Série : -
    Stav části : Obsolete
    Typ IGBT : Trench Field Stop
    Konfigurace : Asymmetrical Bridge
    Napětí - Porucha vysílače kolektoru (Max) : 1200V
    Proud - kolektor (Ic) (Max) : 110A
    Výkon - Max : 385W
    Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 2.2V @ 15V, 75A
    Proud - Mezní hodnota kolektoru (Max) : 250µA
    Vstupní kapacita (Cies) @ Vce : 4.4nF @ 25V
    Vstup : Standard
    Termistor NTC : Yes
    Provozní teplota : -40°C ~ 175°C (TJ)
    Typ montáže : Chassis Mount
    Balíček / Případ : SP3
    Balík zařízení pro dodavatele : SP3

    Můžete se také zajímat
    • VS-GT175DA120U

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT 1200V 288A 1087W SOT-227.

    • VS-CPV363M4KPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.

    • VS-GT100NA120UX

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.

    • VS-GT100LA120UX

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.

    • VS-GT100DA60U

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT 600V 184A 577W SOT-227.

    • VS-GT100DA120U

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT 1200V 258A 893W SOT-227.