Vishay Semiconductor Diodes Division - CPV363M4K

KEY Part #: K6532633

CPV363M4K Ceny (USD) [2166ks skladem]

  • 1 pcs$19.99030
  • 160 pcs$19.03839

Číslo dílu:
CPV363M4K
Výrobce:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Detailní popis:
IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2.
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Pre-Biated, Moduly ovladače napájení, Tranzistory - IGBTs - Arrays, Diody - Usměrňovače - Single, Tyristory - TRIAC, Diody - variabilní kapacita (Varicaps, Varactors) and Tyristory - SCR - Moduly ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky Vishay Semiconductor Diodes Division CPV363M4K. CPV363M4K může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na CPV363M4K, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CPV363M4K Vlastnosti produktu

Číslo dílu : CPV363M4K
Výrobce : Vishay Semiconductor Diodes Division
Popis : IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2
Série : -
Stav části : Active
Typ IGBT : -
Konfigurace : Three Phase Inverter
Napětí - Porucha vysílače kolektoru (Max) : 600V
Proud - kolektor (Ic) (Max) : 11A
Výkon - Max : 36W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 2V @ 15V, 11A
Proud - Mezní hodnota kolektoru (Max) : 250µA
Vstupní kapacita (Cies) @ Vce : 0.74nF @ 30V
Vstup : Standard
Termistor NTC : No
Provozní teplota : -40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže : Through Hole
Balíček / Případ : 19-SIP (13 Leads), IMS-2
Balík zařízení pro dodavatele : IMS-2

Můžete se také zajímat
  • VS-ETF150Y65N

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • CPV363M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2.

  • CPV362M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.

  • CPV362M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.

  • CPV363M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.

  • A2C25S12M3-F

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.