Číslo dílu :
IPB80P04P4L08ATMA1
Výrobce :
Infineon Technologies
Popis :
MOSFET P-CH TO263-3
Série :
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) :
40V
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C :
80A (Tc)
Napětí pohonu (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
7.9 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 120µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
92nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds :
5430pF @ 25V
Ztráta výkonu (Max) :
75W (Tc)
Provozní teplota :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže :
Surface Mount
Balík zařízení pro dodavatele :
PG-TO263-3-2
Balíček / Případ :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB