Infineon Technologies - FP15R12W1T4B11BOMA1

KEY Part #: K6534682

FP15R12W1T4B11BOMA1 Ceny (USD) [2707ks skladem]

  • 1 pcs$15.99524

Číslo dílu:
FP15R12W1T4B11BOMA1
Výrobce:
Infineon Technologies
Detailní popis:
IGBT MODULE VCES 600V 22A.
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - JFETy, Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, předpětí, Tranzistory - FETy, MOSFETy - Single, Tyristory - SCR - Moduly, Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, Diody - variabilní kapacita (Varicaps, Varactors), Diody - Zener - pole and Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky Infineon Technologies FP15R12W1T4B11BOMA1. FP15R12W1T4B11BOMA1 může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na FP15R12W1T4B11BOMA1, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FP15R12W1T4B11BOMA1 Vlastnosti produktu

Číslo dílu : FP15R12W1T4B11BOMA1
Výrobce : Infineon Technologies
Popis : IGBT MODULE VCES 600V 22A
Série : -
Stav části : Active
Typ IGBT : -
Konfigurace : Three Phase Inverter
Napětí - Porucha vysílače kolektoru (Max) : 1200V
Proud - kolektor (Ic) (Max) : 28A
Výkon - Max : 130W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 2.25V @ 15V, 15A
Proud - Mezní hodnota kolektoru (Max) : 1mA
Vstupní kapacita (Cies) @ Vce : 890pF @ 25V
Vstup : Standard
Termistor NTC : Yes
Provozní teplota : -40°C ~ 150°C
Typ montáže : Chassis Mount
Balíček / Případ : Module
Balík zařízení pro dodavatele : Module

Můžete se také zajímat
  • VS-CPV364M4KPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 13A IMS-2.

  • VS-CPV362M4FPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 8.8A 23W IMS-2.

  • VS-CPV364M4UPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.

  • VS-CPV363M4UPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.

  • VS-CPV362M4KPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.

  • VS-CPV362M4UPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.