LL4150-M-08 Ceny (USD) [3225988ks skladem]
- 1 pcs$0.01147
- 12,500 pcs$0.01080
- Číslo dílu:
- LL4150-M-08
- Výrobce:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Detailní popis:
- DIODE GEN PURP 50V 600MA SOD80. Diodes - General Purpose, Power, Switching SWITCHING DIODE GENPURP MINIMELFe2M
- Standardní dodací lhůta výrobce:
- Na skladě
- Skladovatelnost:
- Jeden rok
- Čip od:
- Hongkong
- RoHS:
- Způsob platby:
-
- Způsob přepravy:
- Rodinné kategorie:
- KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - programovatelný Unijunction, Diody - variabilní kapacita (Varicaps, Varactors), Tranzistory - IGBT - Moduly, Tyristory - TRIAC, Tyristory - SCR - Moduly, Tranzistory - IGBTs - Arrays, Tyristory - DIAC, SIDAC and Tranzistory - IGBTs - Single ...
- Konkurenční výhoda:
- Specializujeme se na elektronické součástky Vishay Semiconductor Diodes Division LL4150-M-08. LL4150-M-08 může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na LL4150-M-08, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
LL4150-M-08 Vlastnosti produktu
Číslo dílu :
LL4150-M-08
Výrobce :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Popis :
DIODE GEN PURP 50V 600MA SOD80
Série :
Automotive, AEC-Q101
Stav části :
Active
Typ diod :
Standard
Napětí - DC reverzní (Vr) (Max) :
50V
Proud - průměrný rektifikovaný (Io) :
600mA
Napětí - vpřed (Vf) (Max) @ If :
1V @ 200mA
Rychlost :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Doba zpětného obnovení (trr) :
4ns
Proud - reverzní únik @ Vr :
100nA @ 50V
Kapacita @ Vr, F :
2.5pF @ 0V, 1MHz
Typ montáže :
Surface Mount
Balíček / Případ :
DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Balík zařízení pro dodavatele :
SOD-80 MiniMELF
Provozní teplota - křižovatka :
175°C (Max)
Poslední zprávy
Můžete se také zajímat
-
BAL74E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 250mA
-
BAT54T
ON Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE
-
BAS21E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode
-
BAS116E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
-
BAL99E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
Horké díly
- VSB3200-M3/51
- D1461S45TXPSA2
- CLLRH-02 TR
- VS-8EWS12STRRPBF
- TVR10GHM3/54
- BYC20DX-600PQ
- VS-10TQ035SPBF
- VS-HFA04SD60STRRP
- RB721Q-40T-72
- CD1607-B120LF
- VS-60CPF04PBF
- IDP23E60
- UGF12JTHE3/45
- HER206-TP
- BY229B-600HE3/45
- S306120
- RU 4B
- EGL34DHE3/98
- GPP15B-E3/54
- RGP5020HE3/73
- BYD13MGP-E3/73
- FFH15S60STU
- V10P10-E3/87A
- BAS5202VE6127XT
- SSC53L-E3/51T
- SB160-E3/51
- BAS21T-7
- VSKE270-08
- PRLL5817,115
- CLL3595 BK
- 1F3-TP
- FESB16DT-E3/81
- FESB8JT-E3/45
- RU 2ZV1
- HS3M R7G
- MURS160HE3_A/I
- RM 1V1
- RB068LAM-40TR
- RBR1MM40ATR
- 1N6483-E3/97