BAR74E6327HTSA1 Ceny (USD) [4027624ks skladem]
- 1 pcs$0.01308
- 3,000 pcs$0.01301
- 6,000 pcs$0.01173
- 15,000 pcs$0.01020
- 30,000 pcs$0.00918
- 75,000 pcs$0.00816
- 150,000 pcs$0.00679
- Číslo dílu:
- BAR74E6327HTSA1
- Výrobce:
- Infineon Technologies
- Detailní popis:
- DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3.
- Standardní dodací lhůta výrobce:
- Na skladě
- Skladovatelnost:
- Jeden rok
- Čip od:
- Hongkong
- RoHS:
- Způsob platby:
-
- Způsob přepravy:
- Rodinné kategorie:
- KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - programovatelný Unijunction, Tyristory - TRIAC, Tyristory - SCR, Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, předpětí, Tranzistory - IGBTs - Single, Diody - Zener - Single, Tranzistory - JFETy and Diody - usměrňovače - pole ...
- Konkurenční výhoda:
- Specializujeme se na elektronické součástky Infineon Technologies BAR74E6327HTSA1. BAR74E6327HTSA1 může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na BAR74E6327HTSA1, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
BAR74E6327HTSA1 Vlastnosti produktu
Číslo dílu :
BAR74E6327HTSA1
Výrobce :
Infineon Technologies
Popis :
DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3
Série :
-
Stav části :
Last Time Buy
Typ diod :
Standard
Napětí - DC reverzní (Vr) (Max) :
50V
Proud - průměrný rektifikovaný (Io) :
250mA (DC)
Napětí - vpřed (Vf) (Max) @ If :
1V @ 100mA
Rychlost :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Doba zpětného obnovení (trr) :
4ns
Proud - reverzní únik @ Vr :
100nA @ 50V
Kapacita @ Vr, F :
2pF @ 0V, 1MHz
Typ montáže :
Surface Mount
Balíček / Případ :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Balík zařízení pro dodavatele :
SOT-23-3
Provozní teplota - křižovatka :
-65°C ~ 150°C
Poslední zprávy
Můžete se také zajímat
-
BAL74E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 250mA
-
BAT54T
ON Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE
-
BAS21E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode
-
BAS116E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
-
BAL99E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
Horké díly
- BAS16J/ZLF
- R7004203XXUA
- 1N4148 BK
- MBRH30040L
- VS-8ETX06STRLPBF
- 1N3292B
- V20100SHM3/4W
- RGP10D-M3/54
- RGP02-20E-M3/54
- RGP10AHM3/73
- SSB44HE3/52T
- RK 39
- CD214B-B230LF
- CD214B-B120LF
- CD214A-B220LF
- CDBMH2100-HF
- 1N3900R
- NSR05F30NRT5G
- UG5JT-E3/45
- FES16ATHE3/45
- DTV32F-E3/45
- 1N5401-AP
- SS3P6LHM3/86A
- SS2H9HE3/5BT
- S4PGHM3/87A
- 1N4002_NL
- UG2003-T
- SIDC32D170HX1SA3
- SIDC09D60E6YX1SA1
- JANTX1N6623
- STTA106U
- 1N5404RL
- MA2778400L
- IRKE166/14
- IRD3910R
- FR505-TP
- SE20DBHM3/I
- ES3B-M3/57T
- MUR315S M6G
- ES2A-M3/52T