Pokud vaše místo není uvedeno, vyberte jednu z následujících možností:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Pokud vaše místo není uvedeno, vyberte jednu z následujících možností:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Domů
  2. produkty
  3. Diskrétní polovodičové produkty
  4. Tranzistory - IGBT - Moduly
  5. APT65GP60J

Microsemi Corporation - APT65GP60J

KEY Part #: K6532585

APT65GP60J Ceny (USD) [2534ks skladem]

  • 1 pcs$17.08650
  • 10 pcs$15.80641
Číslo dílu:
APT65GP60J
Výrobce:
Microsemi Corporation
Detailní popis:
IGBT 600V 130A 431W SOT227.
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - IGBTs - Single, Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, předpětí, Tranzistory - programovatelný Unijunction, Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, Tranzistory - FETy, MOSFETy - Pole, Tyristory - SCR, Tranzistory - JFETy and Tranzistory - IGBTs - Arrays ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky Microsemi Corporation APT65GP60J. APT65GP60J může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na APT65GP60J, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT65GP60J Vlastnosti produktu

Číslo dílu : APT65GP60J
Výrobce : Microsemi Corporation
Popis : IGBT 600V 130A 431W SOT227
Série : POWER MOS 7®
Stav části : Active
Typ IGBT : PT
Konfigurace : Single
Napětí - Porucha vysílače kolektoru (Max) : 600V
Proud - kolektor (Ic) (Max) : 130A
Výkon - Max : 431W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 2.7V @ 15V, 65A
Proud - Mezní hodnota kolektoru (Max) : 1mA
Vstupní kapacita (Cies) @ Vce : 7.4nF @ 25V
Vstup : Standard
Termistor NTC : No
Provozní teplota : -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže : Chassis Mount
Balíček / Případ : SOT-227-4, miniBLOC
Balík zařízení pro dodavatele : ISOTOP®

Poslední zprávy

Microsemi Adaptec® HBA 1100 SAS/SATA Host Bus Adapters
Můžete se také zajímat
  • VS-ENQ030L120S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 61A 216W EMIPAK-1B. Rectifiers 30A Neutral Point Clamp Topology

  • VS-ETF150Y65N

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • CPV362M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 8.8A IMS-2.

  • CPV363M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2.

  • A2C35S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK2.

  • A2C25S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.

Horké díly