Toshiba Semiconductor and Storage - TK7P65W,RQ

KEY Part #: K6419867

TK7P65W,RQ Ceny (USD) [140043ks skladem]

  • 1 pcs$0.26411
  • 2,000 pcs$0.24546

Číslo dílu:
TK7P65W,RQ
Výrobce:
Toshiba Semiconductor and Storage
Detailní popis:
MOSFET N-CH 650V 6.8A DPAK.
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - IGBTs - Arrays, Tyristory - SCR, Diody - Můstkové usměrňovače, Tranzistory - IGBTs - Single, Diody - Zener - pole, Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, Diody - Usměrňovače - Single and Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, předpětí ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky Toshiba Semiconductor and Storage TK7P65W,RQ. TK7P65W,RQ může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na TK7P65W,RQ, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK7P65W,RQ Vlastnosti produktu

Číslo dílu : TK7P65W,RQ
Výrobce : Toshiba Semiconductor and Storage
Popis : MOSFET N-CH 650V 6.8A DPAK
Série : DTMOSIV
Stav části : Active
Typ FET : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) : 650V
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C : 6.8A (Ta)
Napětí pohonu (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 800 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 15nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 490pF @ 300V
Funkce FET : -
Ztráta výkonu (Max) : 60W (Tc)
Provozní teplota : 150°C (TJ)
Typ montáže : Surface Mount
Balík zařízení pro dodavatele : DPAK
Balíček / Případ : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63