Renesas Electronics America - HAT2279H-EL-E

KEY Part #: K6418635

HAT2279H-EL-E Ceny (USD) [71063ks skladem]

  • 1 pcs$0.58654
  • 2,500 pcs$0.58363

Číslo dílu:
HAT2279H-EL-E
Výrobce:
Renesas Electronics America
Detailní popis:
MOSFET N-CH 80V 30A 5LFPAK.
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Diody - usměrňovače - pole, Tranzistory - FETy, MOSFETy - Single, Diody - Zener - pole, Tranzistory - IGBTs - Single, Diody - variabilní kapacita (Varicaps, Varactors), Tranzistory - bipolární (BJT) - RF, Tranzistory - IGBTs - Arrays and Tyristory - SCR ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky Renesas Electronics America HAT2279H-EL-E. HAT2279H-EL-E může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na HAT2279H-EL-E, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

HAT2279H-EL-E Vlastnosti produktu

Číslo dílu : HAT2279H-EL-E
Výrobce : Renesas Electronics America
Popis : MOSFET N-CH 80V 30A 5LFPAK
Série : -
Stav části : Not For New Designs
Typ FET : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) : 80V
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C : 30A (Ta)
Napětí pohonu (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 60nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 3520pF @ 10V
Funkce FET : -
Ztráta výkonu (Max) : 25W (Tc)
Provozní teplota : 150°C (TJ)
Typ montáže : Surface Mount
Balík zařízení pro dodavatele : LFPAK
Balíček / Případ : SC-100, SOT-669