Vishay Siliconix - SQ4532AEY-T1_GE3

KEY Part #: K6522977

SQ4532AEY-T1_GE3 Ceny (USD) [246141ks skladem]

  • 1 pcs$0.15027

Číslo dílu:
SQ4532AEY-T1_GE3
Výrobce:
Vishay Siliconix
Detailní popis:
MOSFET N/P-CH 30V 7.3/5.3A 8SOIC.
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tyristory - SCR, Tranzistory - IGBTs - Arrays, Moduly ovladače napájení, Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, Tranzistory - FETy, MOSFETy - Single, Tranzistory - FETy, MOSFETy - Pole, Diody - Zener - Single and Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, předpětí ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky Vishay Siliconix SQ4532AEY-T1_GE3. SQ4532AEY-T1_GE3 může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na SQ4532AEY-T1_GE3, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQ4532AEY-T1_GE3 Vlastnosti produktu

Číslo dílu : SQ4532AEY-T1_GE3
Výrobce : Vishay Siliconix
Popis : MOSFET N/P-CH 30V 7.3/5.3A 8SOIC
Série : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Stav části : Active
Typ FET : N and P-Channel
Funkce FET : Standard
Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) : 30V
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C : 7.3A (Tc), 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 31 mOhm @ 4.9A, 10V, 70 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 7.8nC @ 10V, 10.2nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 535pF @ 15V, 528pF @ 15V
Výkon - Max : 3.3W
Provozní teplota : -55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže : Surface Mount
Balíček / Případ : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Balík zařízení pro dodavatele : 8-SOIC

Můžete se také zajímat
  • IRF5810TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP.

  • FDY2000PZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2P-CH 20V 0.35A SOT-563F.

  • DMN2040LTS-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 6.7A 8TSSOP.

  • DMN2019UTS-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8.

  • DMG8822UTS-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 4.9A 8TSSOP.

  • AO8801AL

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    MOSFET 2P-CH 20V 4.5A 8TSSOP.