Infineon Technologies - IPG20N06S2L50ATMA1

KEY Part #: K6525310

IPG20N06S2L50ATMA1 Ceny (USD) [185072ks skladem]

  • 1 pcs$0.19985
  • 5,000 pcs$0.19037

Číslo dílu:
IPG20N06S2L50ATMA1
Výrobce:
Infineon Technologies
Detailní popis:
MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4.
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, předpětí, Tranzistory - FETy, MOSFETy - Pole, Diody - usměrňovače - pole, Tyristory - SCR - Moduly, Diody - Zener - pole, Tyristory - TRIAC, Moduly ovladače napájení and Tranzistory - speciální účel ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky Infineon Technologies IPG20N06S2L50ATMA1. IPG20N06S2L50ATMA1 může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na IPG20N06S2L50ATMA1, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPG20N06S2L50ATMA1 Vlastnosti produktu

Číslo dílu : IPG20N06S2L50ATMA1
Výrobce : Infineon Technologies
Popis : MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4
Série : OptiMOS™
Stav části : Active
Typ FET : 2 N-Channel (Dual)
Funkce FET : Logic Level Gate
Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) : 55V
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C : 20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 50 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 19µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 17nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 560pF @ 25V
Výkon - Max : 51W
Provozní teplota : -55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže : Surface Mount
Balíček / Případ : 8-PowerVDFN
Balík zařízení pro dodavatele : PG-TDSON-8-4