Vishay Siliconix - SIR873DP-T1-GE3

KEY Part #: K6419438

SIR873DP-T1-GE3 Ceny (USD) [112067ks skladem]

  • 1 pcs$0.33004

Číslo dílu:
SIR873DP-T1-GE3
Výrobce:
Vishay Siliconix
Detailní popis:
MOSFET P-CH 150V 37A POWERPAKSO.
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tyristory - TRIAC, Tranzistory - FETy, MOSFETy - Pole, Diody - Zener - Single, Moduly ovladače napájení, Diody - RF, Diody - Usměrňovače - Single, Tranzistory - bipolární (BJT) - RF and Tranzistory - speciální účel ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky Vishay Siliconix SIR873DP-T1-GE3. SIR873DP-T1-GE3 může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na SIR873DP-T1-GE3, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIR873DP-T1-GE3 Vlastnosti produktu

Číslo dílu : SIR873DP-T1-GE3
Výrobce : Vishay Siliconix
Popis : MOSFET P-CH 150V 37A POWERPAKSO
Série : TrenchFET® Gen IV
Stav části : Active
Typ FET : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) : 150V
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C : 37A (Tc)
Napětí pohonu (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 47.5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 48nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 1805pF @ 75V
Funkce FET : -
Ztráta výkonu (Max) : 104W (Tc)
Provozní teplota : -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže : Surface Mount
Balík zařízení pro dodavatele : PowerPAK® SO-8
Balíček / Případ : PowerPAK® SO-8

Můžete se také zajímat