Infineon Technologies - IRLHS6342TRPBF

KEY Part #: K6421211

IRLHS6342TRPBF Ceny (USD) [394804ks skladem]

  • 1 pcs$0.09369
  • 4,000 pcs$0.08092

Číslo dílu:
IRLHS6342TRPBF
Výrobce:
Infineon Technologies
Detailní popis:
MOSFET N-CH 30V 8.7A PQFN.
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tyristory - DIAC, SIDAC, Tranzistory - FETy, MOSFETy - Single, Tranzistory - FETy, MOSFETy - Pole, Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, Diody - variabilní kapacita (Varicaps, Varactors), Tranzistory - IGBT - Moduly, Diody - Zener - pole and Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Pre-Biated ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky Infineon Technologies IRLHS6342TRPBF. IRLHS6342TRPBF může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na IRLHS6342TRPBF, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRLHS6342TRPBF Vlastnosti produktu

Číslo dílu : IRLHS6342TRPBF
Výrobce : Infineon Technologies
Popis : MOSFET N-CH 30V 8.7A PQFN
Série : HEXFET®
Stav části : Active
Typ FET : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) : 30V
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C : 8.7A (Ta), 19A (Tc)
Napětí pohonu (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 15.5 mOhm @ 8.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.1V @ 10µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 11nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±12V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 1019pF @ 25V
Funkce FET : -
Ztráta výkonu (Max) : 2.1W (Ta)
Provozní teplota : -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže : Surface Mount
Balík zařízení pro dodavatele : 6-PQFN (2x2)
Balíček / Případ : 6-PowerVDFN