Infineon Technologies - BSZ019N03LSATMA1

KEY Part #: K6419887

BSZ019N03LSATMA1 Ceny (USD) [142053ks skladem]

  • 1 pcs$0.26038

Číslo dílu:
BSZ019N03LSATMA1
Výrobce:
Infineon Technologies
Detailní popis:
MOSFET N-CH 30V 22A TSDSON-8.
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Diody - RF, Tranzistory - IGBTs - Single, Diody - Zener - pole, Tranzistory - FETy, MOSFETy - RF, Diody - variabilní kapacita (Varicaps, Varactors), Tranzistory - FETy, MOSFETy - Single, Tyristory - DIAC, SIDAC and Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Pre-Biated ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky Infineon Technologies BSZ019N03LSATMA1. BSZ019N03LSATMA1 může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na BSZ019N03LSATMA1, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSZ019N03LSATMA1 Vlastnosti produktu

Číslo dílu : BSZ019N03LSATMA1
Výrobce : Infineon Technologies
Popis : MOSFET N-CH 30V 22A TSDSON-8
Série : OptiMOS™
Stav části : Active
Typ FET : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) : 30V
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C : 22A (Ta). 40A (Tc)
Napětí pohonu (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.9 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 44nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 2800pF @ 15V
Funkce FET : -
Ztráta výkonu (Max) : 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Provozní teplota : -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže : Surface Mount
Balík zařízení pro dodavatele : PG-TSDSON-8-FL
Balíček / Případ : 8-PowerTDFN