ON Semiconductor - 1N4454

KEY Part #: K6458691

1N4454 Ceny (USD) [7422335ks skladem]

  • 1 pcs$0.00498
  • 50,000 pcs$0.00465

Číslo dílu:
1N4454
Výrobce:
ON Semiconductor
Detailní popis:
DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching Vr/75V Io/200mA BULK
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tyristory - TRIAC, Diody - Usměrňovače - Single, Tranzistory - speciální účel, Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Pre-Biated, Diody - variabilní kapacita (Varicaps, Varactors), Tranzistory - IGBTs - Single, Moduly ovladače napájení and Diody - RF ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky ON Semiconductor 1N4454. 1N4454 může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na 1N4454, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N4454 Vlastnosti produktu

Číslo dílu : 1N4454
Výrobce : ON Semiconductor
Popis : DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35
Série : -
Stav části : Active
Typ diod : Standard
Napětí - DC reverzní (Vr) (Max) : 50V
Proud - průměrný rektifikovaný (Io) : 200mA
Napětí - vpřed (Vf) (Max) @ If : 1V @ 10mA
Rychlost : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Doba zpětného obnovení (trr) : 4ns
Proud - reverzní únik @ Vr : 100nA @ 50V
Kapacita @ Vr, F : 4pF @ 0V, 1MHz
Typ montáže : Through Hole
Balíček / Případ : DO-204AH, DO-35, Axial
Balík zařízení pro dodavatele : DO-35
Provozní teplota - křižovatka : 175°C (Max)

Můžete se také zajímat
  • BAT54T

    ON Semiconductor

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE

  • BAS21E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode

  • BAS116E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode

  • BAR74E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3.

  • BAL99E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode

  • BAL99E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode