Infineon Technologies - IRFR13N15DTRPBF

KEY Part #: K6420276

IRFR13N15DTRPBF Ceny (USD) [178112ks skladem]

  • 1 pcs$0.21087
  • 2,000 pcs$0.20982

Číslo dílu:
IRFR13N15DTRPBF
Výrobce:
Infineon Technologies
Detailní popis:
MOSFET N-CH 150V 14A DPAK.
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, předpětí, Diody - Zener - pole, Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, Tranzistory - FETy, MOSFETy - RF, Tyristory - DIAC, SIDAC, Tranzistory - programovatelný Unijunction, Diody - Zener - Single and Tranzistory - IGBTs - Arrays ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky Infineon Technologies IRFR13N15DTRPBF. IRFR13N15DTRPBF může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na IRFR13N15DTRPBF, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFR13N15DTRPBF Vlastnosti produktu

Číslo dílu : IRFR13N15DTRPBF
Výrobce : Infineon Technologies
Popis : MOSFET N-CH 150V 14A DPAK
Série : HEXFET®
Stav části : Active
Typ FET : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) : 150V
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C : 14A (Tc)
Napětí pohonu (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 180 mOhm @ 8.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 29nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 620pF @ 25V
Funkce FET : -
Ztráta výkonu (Max) : 86W (Tc)
Provozní teplota : -55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže : Surface Mount
Balík zařízení pro dodavatele : D-Pak
Balíček / Případ : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63