Výrobce :
Vishay Siliconix
Popis :
MOSFET P-CH 100V 3.1A I-PAK
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) :
100V
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C :
3.1A (Tc)
Napětí pohonu (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.2 Ohm @ 1.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
8.7nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds :
200pF @ 25V
Ztráta výkonu (Max) :
2.5W (Ta), 25W (Tc)
Provozní teplota :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže :
Through Hole
Balík zařízení pro dodavatele :
TO-251AA
Balíček / Případ :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA