Infineon Technologies - IPA65R190E6XKSA1

KEY Part #: K6417895

IPA65R190E6XKSA1 Ceny (USD) [45067ks skladem]

  • 1 pcs$0.86758
  • 500 pcs$0.79597

Číslo dílu:
IPA65R190E6XKSA1
Výrobce:
Infineon Technologies
Detailní popis:
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220.
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - IGBT - Moduly, Tyristory - SCR, Tyristory - SCR - Moduly, Tranzistory - FETy, MOSFETy - RF, Diody - Můstkové usměrňovače, Tyristory - DIAC, SIDAC, Diody - RF and Diody - Usměrňovače - Single ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky Infineon Technologies IPA65R190E6XKSA1. IPA65R190E6XKSA1 může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na IPA65R190E6XKSA1, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPA65R190E6XKSA1 Vlastnosti produktu

Číslo dílu : IPA65R190E6XKSA1
Výrobce : Infineon Technologies
Popis : MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220
Série : CoolMOS™
Stav části : Not For New Designs
Typ FET : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) : 650V
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C : 20.2A (Tc)
Napětí pohonu (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 190 mOhm @ 7.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 730µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 73nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 1620pF @ 100V
Funkce FET : -
Ztráta výkonu (Max) : 34W (Tc)
Provozní teplota : -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže : Through Hole
Balík zařízení pro dodavatele : PG-TO220 Full Pack
Balíček / Případ : TO-220-3 Full Pack

Můžete se také zajímat
  • BS107P

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3.

  • IRFR3607TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 75V 56A DPAK.

  • IXTY2N100P

    IXYS

    MOSFET N-CH 1000V 2A TO-252.

  • TK8A60W,S4VX

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N CH 600V 8A TO-220SIS.

  • SPA11N60CFDXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3.

  • IPA65R190E6XKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220.