Microsemi Corporation - APTM120H29FG

KEY Part #: K6522643

APTM120H29FG Ceny (USD) [414ks skladem]

  • 1 pcs$147.39494
  • 10 pcs$140.27951
  • 25 pcs$135.19703

Číslo dílu:
APTM120H29FG
Výrobce:
Microsemi Corporation
Detailní popis:
MOSFET 4N-CH 1200V 34A SP6.
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Diody - usměrňovače - pole, Diody - Zener - pole, Tranzistory - IGBT - Moduly, Tranzistory - FETy, MOSFETy - Pole, Tyristory - SCR, Diody - RF, Tyristory - DIAC, SIDAC and Tranzistory - bipolární (BJT) - pole ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky Microsemi Corporation APTM120H29FG. APTM120H29FG může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na APTM120H29FG, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTM120H29FG Vlastnosti produktu

Číslo dílu : APTM120H29FG
Výrobce : Microsemi Corporation
Popis : MOSFET 4N-CH 1200V 34A SP6
Série : POWER MOS 7®
Stav části : Active
Typ FET : 4 N-Channel (H-Bridge)
Funkce FET : Standard
Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) : 1200V (1.2kV)
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C : 34A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 348 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 374nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 10300pF @ 25V
Výkon - Max : 780W
Provozní teplota : -40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže : Chassis Mount
Balíček / Případ : SP6
Balík zařízení pro dodavatele : SP6