RRU1LAM4STR Ceny (USD) [1548368ks skladem]
- 1 pcs$0.02641
- 3,000 pcs$0.02628
- 6,000 pcs$0.02365
- 15,000 pcs$0.02102
- 30,000 pcs$0.01971
- 75,000 pcs$0.01747
- Číslo dílu:
- RRU1LAM4STR
- Výrobce:
- Rohm Semiconductor
- Detailní popis:
- DIODE GEN PURP 400V 1A PMDTM. Rectifiers 500V Vr 1A Io Rectifying Diode
- Standardní dodací lhůta výrobce:
- Na skladě
- Skladovatelnost:
- Jeden rok
- Čip od:
- Hongkong
- RoHS:
- Způsob platby:
-
- Způsob přepravy:
- Rodinné kategorie:
- KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - bipolární (BJT) - RF, Tranzistory - FETy, MOSFETy - Single, Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Tyristory - SCR - Moduly, Diody - Můstkové usměrňovače, Tyristory - SCR, Diody - variabilní kapacita (Varicaps, Varactors) and Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, předpětí ...
- Konkurenční výhoda:
- Specializujeme se na elektronické součástky Rohm Semiconductor RRU1LAM4STR. RRU1LAM4STR může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na RRU1LAM4STR, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
RRU1LAM4STR Vlastnosti produktu
Číslo dílu :
RRU1LAM4STR
Výrobce :
Rohm Semiconductor
Popis :
DIODE GEN PURP 400V 1A PMDTM
Série :
-
Stav části :
Active
Typ diod :
Standard
Napětí - DC reverzní (Vr) (Max) :
400V
Proud - průměrný rektifikovaný (Io) :
1A
Napětí - vpřed (Vf) (Max) @ If :
1.3V @ 800mA
Rychlost :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Doba zpětného obnovení (trr) :
400ns
Proud - reverzní únik @ Vr :
10µA @ 400V
Kapacita @ Vr, F :
-
Typ montáže :
Surface Mount
Balíček / Případ :
SOD-128
Balík zařízení pro dodavatele :
PMDTM
Provozní teplota - křižovatka :
150°C (Max)
Poslední zprávy
Můžete se také zajímat
-
-
MMBD1401A
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 175V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Small Signal Diode
-
BAS21-TP
Micro Commercial Co
DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200mA 250V
-
VS-15EWX06FNTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 15A DPAK. Rectifiers Hyperfast 15A 600V 18ns
-
VS-4EWH02FNTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 4A D-PAK. Rectifiers Hyperfast 4A 200V 23ns
-
BAV19W-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120V 625mA 1A IFSM
Horké díly
- MBR1645-10HE3/45
- D251K12BXPSA1
- JTXM19500/469-05
- UF1503S-B
- SB05-05C-M-TB-E
- LS412060
- FR204TA
- JANTX1N6661US
- RGP10K-M3/73
- GP10G-4004E-M3/73
- RU 3AM
- RF 1A
- SD24145
- JANTXV1N5802
- MBRB1050HE3/45
- HER604-TP
- SS1H10HE3/61T
- S5MHE3/57T
- ESH2PD-E3/84A
- SS8PH9HM3/87A
- SS2P3-E3/85A
- SS1H10HE3/5AT
- SS19-E3/5AT
- GP30KHE3/54
- GP20B-E3/54
- EGP20DHE3/73
- STPS1545R
- STTH3002G
- LSM345JE3
- ES2A-TP
- VS-HFA16TB120PBF
- VS-1N5819
- 241NQ045R
- 1N6630
- RL103-AP
- ER303-AP
- RO 2CV1
- RU 3AV1
- S10MC M6G
- ES3A M6G