VS-4EWH02FNTR-M3 Ceny (USD) [269707ks skladem]
- 1 pcs$0.13714
- 2,000 pcs$0.12429
- 6,000 pcs$0.11571
- 10,000 pcs$0.11428
- Číslo dílu:
- VS-4EWH02FNTR-M3
- Výrobce:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Detailní popis:
- DIODE GEN PURP 200V 4A D-PAK. Rectifiers Hyperfast 4A 200V 23ns
- Standardní dodací lhůta výrobce:
- Na skladě
- Skladovatelnost:
- Jeden rok
- Čip od:
- Hongkong
- RoHS:
- Způsob platby:
-
- Způsob přepravy:
- Rodinné kategorie:
- KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - JFETy, Diody - variabilní kapacita (Varicaps, Varactors), Tranzistory - IGBTs - Arrays, Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Pre-Biated, Moduly ovladače napájení, Tranzistory - speciální účel and Diody - Zener - Single ...
- Konkurenční výhoda:
- Specializujeme se na elektronické součástky Vishay Semiconductor Diodes Division VS-4EWH02FNTR-M3. VS-4EWH02FNTR-M3 může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na VS-4EWH02FNTR-M3, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
VS-4EWH02FNTR-M3 Vlastnosti produktu
Číslo dílu :
VS-4EWH02FNTR-M3
Výrobce :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Popis :
DIODE GEN PURP 200V 4A D-PAK
Série :
Automotive, AEC-Q101, FRED Pt®
Stav části :
Active
Typ diod :
Standard
Napětí - DC reverzní (Vr) (Max) :
200V
Proud - průměrný rektifikovaný (Io) :
4A
Napětí - vpřed (Vf) (Max) @ If :
950mV @ 4A
Rychlost :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Doba zpětného obnovení (trr) :
20ns
Proud - reverzní únik @ Vr :
3µA @ 200V
Kapacita @ Vr, F :
-
Typ montáže :
Surface Mount
Balíček / Případ :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Balík zařízení pro dodavatele :
D-PAK (TO-252AA)
Provozní teplota - křižovatka :
-65°C ~ 175°C
Poslední zprávy
Můžete se také zajímat
-
-
BAS70E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOT23-3. Schottky Diodes & Rectifiers 70V 0.07A
-
MMBD1401A
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 175V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Small Signal Diode
-
BAS21-TP
Micro Commercial Co
DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200mA 250V
-
VS-12EWH06FN-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 12A TO252. Rectifiers 12A 600V 18ns Hyperfast
-
VS-15EWH06FN-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 15A DPAK. Rectifiers 15A 600V 22ns Hyperfast
Horké díly
- IDD12SG60CXTMA2
- S1MFL RVG
- RGP10J-5025M3/73
- JAN1N1190
- R4260F
- R9G22011ASOO
- MURS120HE3/52T
- IDW12G65C5FKSA1
- SB040-E3/54
- NSRM30CM3T5G
- AR3PJHM3/86A
- VS-60CPF02PBF
- VS-150SQ035
- RGP02-14E-M3/73
- RS1GHE3/5AT
- RGP5020HE3/54
- SB160A-E3/73
- GP15KHE3/73
- 1N4937L-T
- MR7510-BP
- JAN1N6629US
- STTH40P03SFP
- BAS29_D87Z
- D4015L
- VS-12TQ040PBF
- SS16T3
- MBRB745
- RS3G-13
- 20ETS12S
- 1PS59SB20,115
- MBRM120ET1H
- ER1D-TP
- 1N4935-TP
- MUR110-AP
- STPS2H100UF
- RU 2V1
- SK56C M6G
- ESH2CHE3_A/I
- BA159GPE-E3/73
- LL4448-GS08