Samsung Semiconductor - K4A8G085WB-BITD

KEY Part #: K7359599

[19189ks skladem]


    Číslo dílu:
    K4A8G085WB-BITD
    Výrobce:
    Samsung Semiconductor
    Detailní popis:
    8 Gb 1G x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.
    Standardní dodací lhůta výrobce:
    Na skladě
    Skladovatelnost:
    Jeden rok
    Čip od:
    Hongkong
    RoHS:
    Způsob platby:
    Způsob přepravy:
    Rodinné kategorie:
    KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: GDDR5, LPDDR3, HBM Aquabolt, LPDDR4X, SLC Nand, DDR3, DDR4 and HBM Flarebolt ...
    Konkurenční výhoda:
    Specializujeme se na elektronické součástky Samsung Semiconductor K4A8G085WB-BITD. K4A8G085WB-BITD může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na K4A8G085WB-BITD, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    K4A8G085WB-BITD Vlastnosti produktu

    Číslo dílu : K4A8G085WB-BITD
    Výrobce : Samsung Semiconductor
    Popis : 8 Gb 1G x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production
    Série : DDR4
    Hustota : 8 Gb
    Org. : 1G x 8
    Rychlost : 2666 Mbps
    Napětí : 1.2 V
    Temp. : -40 ~ 95 °C
    Balík : 78FBGA
    Stav produkt : Mass Production

    Můžete se také zajímat
    • K4A4G085WE-BIRC

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA.

    • K4ABG165WA-MCWE

      Samsung Semiconductor

      32 Gb 2G x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Sample.

    • K4A4G085WE-BITD

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.

    • K4A4G085WF-BCTD

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.

    • K4A4G085WF-BITD

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Sample.

    • K4A4G165WE-BCWE

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 256M x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.