Samsung Semiconductor - K4A8G165WB-BCTD

KEY Part #: K7359608

[25398ks skladem]

Číslo dílu:: K4A8G165WB-BCTD

Výrobce:: Samsung Semiconductor

Detailní popis:: 8 Gb 512M x 16 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.

Standardní dodací lhůta výrobce:: Na skladě

Skladovatelnost:: Jeden rok

Čip od:: Hongkong

RoHS:

Způsob platby:

Způsob přepravy:

Rodinné kategorie:: KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: LPDDR4, GDDR6, MODULE, LPDDR4X, HBM Flarebolt, LPDDR5, SLC Nand and HBM Aquabolt ...

Konkurenční výhoda:: Specializujeme se na elektronické součástky Samsung Semiconductor K4A8G165WB-BCTD. K4A8G165WB-BCTD může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na K4A8G165WB-BCTD, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com

GB-T-27922

ISO-9001-2015

ISO-13485

ISO-14001

ISO-28000-2007

ISO-45001-2018

K4A8G165WB-BCTD Vlastnosti produktu

Číslo dílu : K4A8G165WB-BCTD

Výrobce : Samsung Semiconductor

Popis : 8 Gb 512M x 16 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production

Série : DDR4

Hustota : 8 Gb

Org. : 512M x 16

Rychlost : 2666 Mbps

Napětí : 1.2 V

Temp. : 0 ~ 85 °C

Balík : 96FBGA

Stav produkt : Mass Production

Poslední zprávy

Samsung wins 46 CES 2020 Innovation Awards for Outstanding Design and Engineering

Samsung Electronics Starts Mass Producing Industry’s First 8-Gigabit Graphics DRAM (GDDR5)

Samsung Now Producing Four Gigabit LPDDR3 Mobile DRAM, Using 20nm-class Process Technology

Driving the Artificial Intelligence Evolution with In-Memory Computing

Samsung Honored for Outstanding Design and Engineering with 36 CES 2018 Innovation Awards

Samsung Electronics Begins Mass Production of Industry's First 12GB LPDDR4X-based uMCP

Samsung Announces Production of Industry’s First 2GB LPDDR3 Mobile Memory, Using 30nm-class Technology

[Video] 5G memory solutions : 5G. All in the Memory.

Samsung Enhances Functional Safety to its Automotive Semiconductors with ISO 26262 Certification

Samsung Now Mass Producing Industry’s Most Advanced 4Gb DDR3, Using 20 Nanometer Process Technology

Samsung Now Mass Producing Industry’s First, 20-Nanometer 6Gb LPDDR3 Mobile DRAM

SSDs, DRAM and gaming: Unlocking a new level of performance

Můžete se také zajímat

KHA844801X-MC12

Samsung Semiconductor

4 Gb 1024 2.0 Gbps 32 ms MPGA Mass Production.
KHA844801X-MC13

Samsung Semiconductor

4 Gb 1024 2.4 Gbps 32 ms MPGA Mass Production.
K4A4G085WE-BIRC

Samsung Semiconductor

4 Gb 512M x 8 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA.
K4ABG165WA-MCWE

Samsung Semiconductor

32 Gb 2G x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Sample.
K4A4G085WE-BITD

Samsung Semiconductor

4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.
K4A4G085WF-BCTD

Samsung Semiconductor

4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.

Horké díly

English čeština