Pokud vaše místo není uvedeno, vyberte jednu z následujících možností:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Pokud vaše místo není uvedeno, vyberte jednu z následujících možností:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Domů
  2. produkty
  3. Diskrétní polovodičové produkty
  4. Diody - Usměrňovače - Single
  5. CDBJFSC5650-G

Comchip Technology - CDBJFSC5650-G

KEY Part #: K6441904

CDBJFSC5650-G Ceny (USD) [29974ks skladem]

  • 1 pcs$1.37498
Číslo dílu:
CDBJFSC5650-G
Výrobce:
Comchip Technology
Detailní popis:
DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 5A 650V
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - FETy, MOSFETy - Pole, Tranzistory - bipolární (BJT) - RF, Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Tranzistory - programovatelný Unijunction, Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Pre-Biated, Diody - RF, Tranzistory - FETy, MOSFETy - RF and Diody - variabilní kapacita (Varicaps, Varactors) ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky Comchip Technology CDBJFSC5650-G. CDBJFSC5650-G může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na CDBJFSC5650-G, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CDBJFSC5650-G Vlastnosti produktu

Číslo dílu : CDBJFSC5650-G
Výrobce : Comchip Technology
Popis : DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
Série : -
Stav části : Active
Typ diod : Silicon Carbide Schottky
Napětí - DC reverzní (Vr) (Max) : 650V
Proud - průměrný rektifikovaný (Io) : 5A (DC)
Napětí - vpřed (Vf) (Max) @ If : 1.7V @ 5A
Rychlost : No Recovery Time > 500mA (Io)
Doba zpětného obnovení (trr) : 0ns
Proud - reverzní únik @ Vr : 100µA @ 650V
Kapacita @ Vr, F : 430pF @ 0V, 1MHz
Typ montáže : Through Hole
Balíček / Případ : TO-220-2 Full Pack
Balík zařízení pro dodavatele : TO-220F
Provozní teplota - křižovatka : -55°C ~ 175°C

Poslední zprávy

Comchip Technology CGRTS General Purpose Rectifiers
Comchip Technology ACZRT55C-G Automotive Zener Diodes
Můžete se také zajímat
  • CDBDSC51200-G

    Comchip Technology

    DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 5A 1200V

  • VS-30EPH06-N3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AC. Rectifiers 30A 600V Hyperfast

  • VS-E4PU6006L-N3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AD. Rectifiers 600V 60A FRED Pt TO-247 LL 2L

  • VS-60APH03-N3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 300V 60A TO247AC. Rectifiers 60A 300V Hyperfast 28ns FRED Pt

  • VS-30APF10-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 30A TO247. Rectifiers New Input Diodes - TO-247-e3

  • VS-60APU04-N3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 60A TO247AC. Rectifiers 60A 400V Ultrafast 50ns FRED Pt

Horké díly