Pokud vaše místo není uvedeno, vyberte jednu z následujících možností:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Pokud vaše místo není uvedeno, vyberte jednu z následujících možností:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Domů
  2. produkty
  3. Diskrétní polovodičové produkty
  4. Diody - Usměrňovače - Single
  5. CDBDSC51200-G

Comchip Technology - CDBDSC51200-G

KEY Part #: K6441829

CDBDSC51200-G Ceny (USD) [14190ks skladem]

  • 1 pcs$2.90421
Číslo dílu:
CDBDSC51200-G
Výrobce:
Comchip Technology
Detailní popis:
DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 5A 1200V
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tyristory - TRIAC, Tyristory - SCR, Tyristory - DIAC, SIDAC, Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, Tranzistory - JFETy, Tranzistory - FETy, MOSFETy - Single, Tranzistory - bipolární (BJT) - RF and Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Pre-Biated ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky Comchip Technology CDBDSC51200-G. CDBDSC51200-G může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na CDBDSC51200-G, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CDBDSC51200-G Vlastnosti produktu

Číslo dílu : CDBDSC51200-G
Výrobce : Comchip Technology
Popis : DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
Série : -
Stav části : Active
Typ diod : Silicon Carbide Schottky
Napětí - DC reverzní (Vr) (Max) : 1200V
Proud - průměrný rektifikovaný (Io) : 18A (DC)
Napětí - vpřed (Vf) (Max) @ If : 1.7V @ 5A
Rychlost : No Recovery Time > 500mA (Io)
Doba zpětného obnovení (trr) : 0ns
Proud - reverzní únik @ Vr : 100µA @ 1200V
Kapacita @ Vr, F : 475pF @ 0V, 1MHz
Typ montáže : Surface Mount
Balíček / Případ : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Balík zařízení pro dodavatele : D-PAK (TO-252)
Provozní teplota - křižovatka : -55°C ~ 175°C

Poslední zprávy

Comchip Technology CGRTS General Purpose Rectifiers
Comchip Technology ACZRT55C-G Automotive Zener Diodes
Můžete se také zajímat
  • CDBDSC3650-G

    Comchip Technology

    DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 3A 650V

  • CDBDSC51200-G

    Comchip Technology

    DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 5A 1200V

  • VS-30EPH06-N3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AC. Rectifiers 30A 600V Hyperfast

  • VS-E4PU6006L-N3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AD. Rectifiers 600V 60A FRED Pt TO-247 LL 2L

  • VS-60APU02-N3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 60A TO247AC. Rectifiers 60A 200V Single Die 3 pins

  • VS-60APU06PBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AC. Rectifiers 600 Volt 60 Amp

Horké díly