Infineon Technologies - IRFSL3607PBF

KEY Part #: K6402389

IRFSL3607PBF Ceny (USD) [53440ks skladem]

  • 1 pcs$0.77767
  • 10 pcs$0.70324
  • 100 pcs$0.56502
  • 500 pcs$0.43945
  • 1,000 pcs$0.34443

Číslo dílu:
IRFSL3607PBF
Výrobce:
Infineon Technologies
Detailní popis:
MOSFET N-CH 75V 80A TO-262.
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - IGBT - Moduly, Tranzistory - FETy, MOSFETy - Single, Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, Tranzistory - IGBTs - Single, Tranzistory - speciální účel, Diody - Můstkové usměrňovače, Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Pre-Biated and Moduly ovladače napájení ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky Infineon Technologies IRFSL3607PBF. IRFSL3607PBF může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na IRFSL3607PBF, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFSL3607PBF Vlastnosti produktu

Číslo dílu : IRFSL3607PBF
Výrobce : Infineon Technologies
Popis : MOSFET N-CH 75V 80A TO-262
Série : HEXFET®
Stav části : Active
Typ FET : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) : 75V
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C : 80A (Tc)
Napětí pohonu (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9 mOhm @ 46A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 84nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 3070pF @ 50V
Funkce FET : -
Ztráta výkonu (Max) : 140W (Tc)
Provozní teplota : -55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže : Through Hole
Balík zařízení pro dodavatele : TO-262
Balíček / Případ : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA