ON Semiconductor - FDC638P

KEY Part #: K6394151

FDC638P Ceny (USD) [699119ks skladem]

  • 1 pcs$0.05291
  • 3,000 pcs$0.05039

Číslo dílu:
FDC638P
Výrobce:
ON Semiconductor
Detailní popis:
MOSFET P-CH 20V 4.5A SSOT-6.
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - FETy, MOSFETy - Pole, Diody - RF, Tranzistory - speciální účel, Tranzistory - bipolární (BJT) - RF, Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Diody - usměrňovače - pole, Diody - variabilní kapacita (Varicaps, Varactors) and Tranzistory - IGBTs - Arrays ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky ON Semiconductor FDC638P. FDC638P může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na FDC638P, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDC638P Vlastnosti produktu

Číslo dílu : FDC638P
Výrobce : ON Semiconductor
Popis : MOSFET P-CH 20V 4.5A SSOT-6
Série : PowerTrench®
Stav části : Active
Typ FET : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) : 20V
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C : 4.5A (Ta)
Napětí pohonu (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 48 mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 14nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±8V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 1160pF @ 10V
Funkce FET : -
Ztráta výkonu (Max) : 1.6W (Ta)
Provozní teplota : -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže : Surface Mount
Balík zařízení pro dodavatele : SuperSOT™-6
Balíček / Případ : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Můžete se také zajímat
  • ZVP4424ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 240V 0.2A TO92-3.

  • ZVN4206ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.6A TO92-3.

  • ZVP0545ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 450V 0.045A TO92-3.

  • ZVN4424ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 240V 0.26A TO92-3.

  • ZVN4210ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 450MA TO92-3.

  • SIHP12N65E-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 650V 12A TO-220AB.