Global Power Technologies Group - GP2M008A060FGH

KEY Part #: K6402582

[8784ks skladem]


    Číslo dílu:
    GP2M008A060FGH
    Výrobce:
    Global Power Technologies Group
    Detailní popis:
    MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220F.
    Standardní dodací lhůta výrobce:
    Na skladě
    Skladovatelnost:
    Jeden rok
    Čip od:
    Hongkong
    RoHS:
    Způsob platby:
    Způsob přepravy:
    Rodinné kategorie:
    KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Pre-Biated, Tyristory - SCR, Tyristory - TRIAC, Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Diody - Zener - pole, Tranzistory - programovatelný Unijunction, Tranzistory - speciální účel and Tyristory - DIAC, SIDAC ...
    Konkurenční výhoda:
    Specializujeme se na elektronické součástky Global Power Technologies Group GP2M008A060FGH. GP2M008A060FGH může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na GP2M008A060FGH, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    GP2M008A060FGH Vlastnosti produktu

    Číslo dílu : GP2M008A060FGH
    Výrobce : Global Power Technologies Group
    Popis : MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220F
    Série : -
    Stav části : Obsolete
    Typ FET : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) : 600V
    Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C : 7.5A (Tc)
    Napětí pohonu (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.2 Ohm @ 3.75A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 23nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±30V
    Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 1063pF @ 25V
    Funkce FET : -
    Ztráta výkonu (Max) : 39W (Tc)
    Provozní teplota : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Typ montáže : Through Hole
    Balík zařízení pro dodavatele : TO-220F
    Balíček / Případ : TO-220-3 Full Pack

    Můžete se také zajímat
    • CPH6354-TL-H

      ON Semiconductor

      MOSFET P-CH 60V 4A CPH6.

    • TN0604N3-G

      Microchip Technology

      MOSFET N-CH 40V 700MA TO92-3.

    • BS170PSTOB

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 60V 0.27A TO92-3.

    • GP2M005A060CG

      Global Power Technologies Group

      MOSFET N-CH 600V 4.2A DPAK.

    • GP2M005A050CG

      Global Power Technologies Group

      MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK.

    • GP1M016A025CG

      Global Power Technologies Group

      MOSFET N-CH 250V 16A DPAK.