Infineon Technologies - IRFS3607PBF

KEY Part #: K6408046

IRFS3607PBF Ceny (USD) [763ks skladem]

  • 1 pcs$0.67732
  • 10 pcs$0.59788
  • 100 pcs$0.47270
  • 500 pcs$0.34676
  • 1,000 pcs$0.27376

Číslo dílu:
IRFS3607PBF
Výrobce:
Infineon Technologies
Detailní popis:
MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK.
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - IGBTs - Single, Tyristory - SCR - Moduly, Diody - Usměrňovače - Single, Tranzistory - IGBT - Moduly, Diody - Můstkové usměrňovače, Tranzistory - IGBTs - Arrays, Tranzistory - JFETy and Tranzistory - bipolární (BJT) - RF ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky Infineon Technologies IRFS3607PBF. IRFS3607PBF může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na IRFS3607PBF, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFS3607PBF Vlastnosti produktu

Číslo dílu : IRFS3607PBF
Výrobce : Infineon Technologies
Popis : MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
Série : HEXFET®
Stav části : Discontinued at Digi-Key
Typ FET : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) : 75V
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C : 80A (Tc)
Napětí pohonu (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9 mOhm @ 46A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 84nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 3070pF @ 50V
Funkce FET : -
Ztráta výkonu (Max) : 140W (Tc)
Provozní teplota : -55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže : Surface Mount
Balík zařízení pro dodavatele : D2PAK
Balíček / Případ : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB